AT-Memristor 忆阻器测试系统/脉冲集成测试系统

忆阻器材料种类繁多,主要包括金属氧化物、钙钛矿材料、硫化物、有机材料等。上述材料或者由其制备的忆阻器电子元件是一种具有记忆功能的非线性电阻,具有记忆和可变电阻性质。忆阻器的电阻值是由流经它的电荷确定的。这意味着,通过测定忆阻器的阻值,便可知道流经它的电荷量,从而有记忆电荷的作用。这种组件的效果就是它的电阻会随着通过的电流量而改变,并且就算电流停止了,它的电阻仍然会停留在之前的值,直到接受到反向的电流它才会被推回去。
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测试目标

确定忆阻器的基本电学特性,如电阻值、电导值等。

研究忆阻器的忆阻效应,包括电阻随电流或电压的变化情况。

评估忆阻器的稳定性和可靠性。

探索忆阻器在不同工作条件下的性能表现。

系统功能拓扑图

AT-Memristor 忆阻器测试系统/脉冲集成测试系统(图1)

系统支持基于不同硬件和不同测试需求进行定制化开发

系统测试功能

该忆阻器测试系统适用于两端器件和三端器件测试。具体测试功能如下所示:

擦写脉冲循环测试

AT-Memristor 忆阻器测试系统/脉冲集成测试系统(图2)

保持性能测试

AT-Memristor 忆阻器测试系统/脉冲集成测试系统(图3)

变脉高测试

AT-Memristor 忆阻器测试系统/脉冲集成测试系统(图4)

变脉宽测试

AT-Memristor 忆阻器测试系统/脉冲集成测试系统(图5)

自定义脉冲循环测试

AT-Memristor 忆阻器测试系统/脉冲集成测试系统(图5)

STDP测试

AT-Memristor 忆阻器测试系统/脉冲集成测试系统(图7)


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